KAWASAKI, Jepang–(KAWAT BISNIS)–Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation dan Toshiba Corporation (secara bersama-sama disebut “Toshiba”) telah mengembangkan transistor efek medan semikonduktor oksida logam SiC (MOSFET) yang menyusun Schottky barrier diodes (SBD) tertanam dalam pola pemeriksaan (SBD tertanam pola pemeriksaan) untuk mewujudkan resistansi rendah dan keandalan tinggi. Toshiba telah mengonfirmasi bahwa desain tersebut mengamankan pengurangan sekitar 20% pada resistansi[1] (RpadaA) terhadap MOSFET SiC saat ini, tanpa kehilangan keandalan.[2]
Perangkat daya adalah komponen penting untuk mengelola energi listrik dan mengurangi kehilangan daya di semua jenis peralatan elektronik, dan untuk mencapai masyarakat netral karbon. SiC secara luas dilihat sebagai bahan generasi berikutnya untuk perangkat, karena memberikan voltase lebih tinggi dan kerugian lebih rendah daripada silikon. Sementara penggunaan SiC sekarang sebagian besar terbatas pada inverter untuk kereta api, aplikasi yang lebih luas akan segera hadir, di berbagai bidang termasuk elektrifikasi kendaraan dan miniaturisasi peralatan industri. Namun, ada masalah yang harus diatasi terlebih dahulu: konduksi bipolar di dioda tubuh selama operasi balik SiC MOSFET berbahaya karena menurunkan resistansi.
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation mengembangkan struktur perangkat yang menyematkan SBD ke dalam MOSFET untuk menonaktifkan dioda bodi, tetapi menemukan bahwa mengganti saluran MOSFET dengan SBD tertanam menurunkan kepadatan saluran dan meningkatkan RpadaJ. Pertukaran ini sekarang telah diselesaikan dengan struktur SBD tertanam yang baru, dan Toshiba telah memastikan bahwa hal itu secara dramatis meningkatkan karakteristik kinerja.
Toshiba telah memperbaiki kehilangan konduksi dalam MOSFET SiC tertanam SBD, dan mencapai konduktivitas dioda yang baik, dengan menerapkan distribusi SBD pola pemeriksaan. Evaluasi karakteristik arus on-side MOSFET tertanam kelas 1.2kV-SBD dengan desain yang dioptimalkan menegaskan bahwa menggunakan desain pemeriksaan untuk memposisikan SBD tertanam dekat dengan dioda bodi secara efektif membatasi konduksi bipolar dari dioda parasit, sedangkan batas arus konduksi terbalik unipolar adalah dua kali lipat yang diwujudkan oleh desain pola SBD bergaris saat ini untuk konsumsi area SBD yang sama. RpadaA ditemukan sekitar 20% lebih rendah, pada 2,7mΩ・cm2.
Peningkatan yang dikonfirmasi dalam trade-off ini sangat penting jika MOSFET SiC akan digunakan dalam inverter untuk aplikasi penggerak motor. Toshiba terus melakukan evaluasi untuk meningkatkan karakteristik dinamis dan keandalan, dan untuk mengembangkan semikonduktor berdaya performa tinggi yang menarik yang berkontribusi terhadap netralitas karbon.
Rincian pencapaian dilaporkan pada Pertemuan Perangkat Elektron Internasional IEEE Tahunan ke-68, sebuah konferensi semikonduktor daya internasional yang diadakan di San Francisco, AS, pada 3 hingga 7 Desember.
Catatan:
[1] On-resistance adalah nilai resistansi antara saluran dan sumber MOSFET selama operasi (ON).
[2] Pada November 2022, penelitian Toshiba.
* Nama perusahaan, nama produk, dan nama layanan mungkin merupakan merek dagang dari masing-masing perusahaan.
* Informasi dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, konten layanan dan informasi kontak, adalah yang terbaru pada tanggal pengumuman tetapi dapat berubah tanpa pemberitahuan sebelumnya.
Tentang Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, pemasok terkemuka semikonduktor canggih dan solusi penyimpanan, memanfaatkan lebih dari setengah abad pengalaman dan inovasi untuk menawarkan kepada pelanggan dan mitra bisnis semikonduktor diskrit, sistem LSI, dan produk HDD yang luar biasa.
23.000 karyawan perusahaan di seluruh dunia memiliki tekad yang sama untuk memaksimalkan nilai produk, dan mendorong kerja sama erat dengan pelanggan dalam penciptaan nilai bersama dan pasar baru. Dengan penjualan tahunan yang kini melampaui 850 miliar yen (US$7,5 miliar), Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation berharap dapat membangun dan berkontribusi untuk masa depan yang lebih baik bagi semua orang di mana pun.
Cari tahu lebih lanjut di https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
Kontennya berasal dari Business Wire. Headlines Today Media tidak bertanggung jawab atas konten yang disediakan atau tautan apa pun yang terkait dengan konten ini. Headlines Today Media tidak bertanggung jawab atas kebenaran, aktualitas atau kualitas konten.
Sering- kali tengah banyak yang binggung berasal dari mana asal pangkal keluaran sgp serta keluaran hk yang kami miliki. Pasti hasil Toto HK dan juga keluarna hk yang kami bagikan bukan melalui asal- asalan pangkal ataupun di Result SGP bersama langkah asal- asal. Kita membagikan hasil keluaran sgp serta information https://simpsonscity.com/data-hk-hk-togel-output-togel-hong-kong-pools-hari-ini/ terhadap pangkal sah.
Pangkal sah yang kita ambil merupakan www. singaporepools. com. sg atau serta www. HK Prize. com. Inilah web sah toto sgp dan juga keluaran hk yang kita peruntukan selaku panutan. Keluaran yang kita bagikan tentu sudah safe legal serta sah. Alhasil para togelers juga https://timberland-sko.com/demo-de-jeu-pragmatique-slot-gacor-machine-a-sous-de-demonstration-en-ligne/ butuh kuatir bersama dengan https://xetoyotacamry.com/numero-de-togel-du-prix-sgp-togel-de-singapour-numero-sgp-daujourdhui/ serta keluaran hk yang kita bagikan.
